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G題--低頻功率放大器.doc
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G題--低頻功率放大器.doc
2009年全國生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽試題 參賽注意事項(xiàng)
(1)2009年9月2日8:00競(jìng)賽正式開始。
本科組參賽隊(duì)只能在【本科組】題目中任選一 題;高職高專組參賽隊(duì)在【高職高專組】題目中任選一題,也可以選擇【本科組】 題目。
(2)參賽隊(duì)認(rèn)真填寫《登記表》內(nèi)容,填寫好的《登記表》交賽場(chǎng)巡視員暫時(shí)保存。
(3)參賽者必須是有正式學(xué)籍的全日制在校本、?茖W(xué)生,應(yīng)出示能夠證明參賽者學(xué) 生身份的有效證件(如學(xué)生證)隨時(shí)備查。
(4)每隊(duì)嚴(yán)格限制3人,開賽后不得中途更換隊(duì)員。
(5)參賽隊(duì)必須在學(xué)校指定的競(jìng)賽場(chǎng)地內(nèi)進(jìn)行獨(dú)立設(shè)計(jì)和制作,不得以任何方式與他 人交流,包括教師在內(nèi)的非參賽隊(duì)員必須避,對(duì)違紀(jì)參賽隊(duì)取消評(píng)審資格。
(6)2009年9月5日20:00競(jìng)賽結(jié)束,上交設(shè)計(jì)報(bào)告、制作實(shí)物及《登記表》,由專人封存 。
低頻功率放大器(G題) 【高職高專組】
一、任務(wù) 設(shè)計(jì)并制作一個(gè)低頻功率放大器,要求末級(jí)功放管采用分立的大功率MOS 晶體管。
二、要求
1.基本要求
(1)當(dāng)輸入正弦信號(hào)電壓有效值為5mV時(shí),在8Ω電阻負(fù)載(一端接地)上,輸 出功率≥5W,輸出波形無明顯失真。
(2)通頻帶為20Hz~20kHz。
(3)輸入電阻為600Ω。
(4)輸出噪聲電壓有效值V0N≤5mV。
(5)盡可能提高功率放大器的整機(jī)效率。
(6)具有測(cè)量并顯示低頻功率放大器輸出功率(正弦信號(hào)輸入時(shí))、直流電源 的供給功率和整機(jī)效率的功能,測(cè)量精度優(yōu)于5%。
2.發(fā)揮部分
(1)低頻功率放大器通頻帶擴(kuò)展為10Hz~50kHz。
8
2009年全國生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽試題 參賽注意事項(xiàng)
(1)2009年9月2日8:00競(jìng)賽正式開始。
本科組參賽隊(duì)只能在【本科組】題目中任選一 題;高職高專組參賽隊(duì)在【高職高專組】題目中任選一題,也可以選擇【本科組】 題目。
(2)參賽隊(duì)認(rèn)真填寫《登記表》內(nèi)容,填寫好的《登記表》交賽場(chǎng)巡視員暫時(shí)保存。
(3)參賽者必須是有正式學(xué)籍的全日制在校本、?茖W(xué)生,應(yīng)出示能夠證明參賽者學(xué) 生身份的有效證件(如學(xué)生證)隨時(shí)備查。
(4)每隊(duì)嚴(yán)格限制3人,開賽后不得中途更換隊(duì)員。
(5)參賽隊(duì)必須在學(xué)校指定的競(jìng)賽場(chǎng)地內(nèi)進(jìn)行獨(dú)立設(shè)計(jì)和制作,不得以任何方式與他 人交流,包括教師在內(nèi)的非參賽隊(duì)員必須避,對(duì)違紀(jì)參賽隊(duì)取消評(píng)審資格。
(6)2009年9月5日20:00競(jìng)賽結(jié)束,上交設(shè)計(jì)報(bào)告、制作實(shí)物及《登記表》,由專人封存 。
低頻功率放大器(G題) 【高職高專組】
一、任務(wù) 設(shè)計(jì)并制作一個(gè)低頻功率放大器,要求末級(jí)功放管采用分立的大功率MOS 晶體管。
二、要求
1.基本要求
(1)當(dāng)輸入正弦信號(hào)電壓有效值為5mV時(shí),在8Ω電阻負(fù)載(一端接地)上,輸 出功率≥5W,輸出波形無明顯失真。
(2)通頻帶為20Hz~20kHz。
(3)輸入電阻為600Ω。
(4)輸出噪聲電壓有效值V0N≤5mV。
(5)盡可能提高功率放大器的整機(jī)效率。
(6)具有測(cè)量并顯示低頻功率放大器輸出功率(正弦信號(hào)輸入時(shí))、直流電源 的供給功率和整機(jī)效率的功能,測(cè)量精度優(yōu)于5%。
2.發(fā)揮部分
(1)低頻功率放大器通頻帶擴(kuò)展為10Hz~50kHz。
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