IGBT的實用的驅(qū)動電路，以及一些設(shè)計細節(jié)，適合工程師和維修人員.doc

IGBT的實用的驅(qū)動電路，以及一些設(shè)計細節(jié)，適合工程師和維修人員.doc
IGBT實用的驅(qū)動電路，以及一些設(shè)計細節(jié)，適合工程師、采購、維修人員 （秦皇島國安電力電子技術(shù)有限公司） 第1講 IGBT的基本驅(qū)動電路 概要：筆者從事電力電子研發(fā)領(lǐng)域，經(jīng)常使用IGBT，積累了一些設(shè)計經(jīng)驗，在此 與大家分享。
大部分內(nèi)容不追求理論深度，而主要是幫助大家提高感性認(rèn)識，為 使用IGBT提供一些參考。
1.IGBT的模型 IGBT的模型在教科上能找到，其柵極G，相當(dāng)于一個數(shù)納法（nF）的小電容 （暫時這樣認(rèn)為），這與MOS管類似；其集電極C和發(fā)射極E又類似于一只三極管 的C、E極。
因此，它結(jié)合了MOS管和三極管的特點：
（1）柵極的絕緣電阻無窮大，只要向柵極充入一定的正電荷，使得柵極電壓大于 導(dǎo)通電壓，管子就會導(dǎo)通，并且導(dǎo)通程度深，線性范圍很窄。
這一點類似于MOS 管。

（2）由于柵極的絕緣電阻無窮大，因此電荷能夠一直保存，即開通后可以一直開 通。
而且當(dāng)柵極開路時，也常會處于開通狀態(tài)。
正因為這個特性，驅(qū)動IGBT的電 路不需要提供很大的持續(xù)電流。
但這容易引起誤導(dǎo)通，為了防止誤導(dǎo)通，柵極G 和發(fā)射極E之間必須跨接一只電阻。
不少
第一次接觸MOS管和IGBT的朋友就是 因為沒有跨接此電阻而燒了管子。
跨接電阻一般為10k歐/0.25W。

（3）柵極電容的耐壓是有一點限度的，一般是±20V，當(dāng)超過此限度，可能會燒壞。
因此，柵極要加一對穩(wěn)壓二極管，用于吸收過高的電壓。
穩(wěn)壓二極管一般頭對頭 串聯(lián)，每只是18V/1W，限制的電壓范圍是±18.7V左右。
（4）輸出極C和E特性類似于三極管，因此具有一定的導(dǎo)通壓降，而不是像MOS管 那樣用導(dǎo)通電阻來衡量。
導(dǎo)通壓降與導(dǎo)通飽和度有關(guān)，導(dǎo)通飽和度受到柵極電壓的影響，因此柵極電壓不應(yīng)太低，雖然IGBT在7V就完全能導(dǎo)通，但標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū) 動電壓是15V。
（5）為了保證柵極驅(qū)動不誤動作，一般關(guān)閉時要讓柵極帶有一定的負(fù)電壓。
通常 對于小功率IGBT，負(fù)電壓應(yīng)在-8V左右。
因此，通常IGBT的標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動電壓為- 8V、+15V。
實際使用時，如果采用